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PSMN015-100B

N-channel TrenchMOS transistor

GENERALDESCRIPTION SiliconMAXproductsusethelatestPhilipsTrenchtechnologytoachievethelowestpossibleon-stateresistanceineachpackageateachvoltagerating. FEATURES ?’Trench’technology ?Verylowon-stateresistance ?Fastswitching ?Lowthermalresistance Applications:-

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

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PSMN015-100B

N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET

Generaldescription SiliconMAXstandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. Featuresandbenefits ■

ETC

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PSMN015-100B

N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET

1.1Generaldescription SiliconMAXstandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)in aplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedfor useincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandb

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PSMN015-100B

N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET;

ETC

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PSMN015-100B

N-channel TrenchMOS transistor

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

PSMN015-100P

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

PSMN015-100P

N-channelTrenchMOSSiliconMAXstandardlevelFET

ETC

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PSMN015-100P

N-channelTrenchMOStransistor

GENERALDESCRIPTION SiliconMAXproductsusethelatestPhilipsTrenchtechnologytoachievethelowestpossibleon-stateresistanceineachpackageateachvoltagerating. FEATURES ?’Trench’technology ?Verylowon-stateresistance ?Fastswitching ?Lowthermalresistance Applications:-

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PSMN015-100P

N-channelTrenchMOStransistor

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N-channelTrenchMOSSiliconMAXstandardlevelFET

1.1Generaldescription SiliconMAXstandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)in aplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedfor useincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandb

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    PSMN015-100B

  • 功能描述：

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多PSMN015-100B供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 16:04:00

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