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PSMN009-100B中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PSMN009-100B
廠商型號(hào)

PSMN009-100B

功能描述

N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET

文件大小

690.68 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-6 14:18:00

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PSMN009-100B規(guī)格書詳情

1.1 General description

SiliconMAX standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in

a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for

use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

Low conduction losses due to low

on-state resistance

Suitable for high frequency

applications due to fast switching

characteristics

1.3 Applications

High frequency computer motherboard

DC-to-DC convertors

OR-ing applicationss

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