首頁>PSMN006-20K>規(guī)格書詳情
PSMN006-20K中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
PSMN006-20K |
| 功能描述 | N-channel TrenchMOS SiliconMAX ultra low level FET |
| 文件大小 |
691.37 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名稱 | 安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-10 10:38:00 |
| 人工找貨 | PSMN006-20K價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
PSMN006-20K規(guī)格書詳情
1.1 General description
SiliconMAX ultra low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in
a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for
use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
1.2 Features and benefits
Low conduction losses due to low
on-state resistance
Suitable for very low gate drive
sources
1.3 Applications
Computer motherboards
DC-to-DC convertors
Switched-mode power supplies
產(chǎn)品屬性
- 型號：
PSMN006-20K
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT96 |
10990 |
原裝正品 |
詢價 | ||
NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT96 |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
24+ |
3000 |
公司存貨 |
詢價 | ||||
恩XP |
23+ |
N/A |
6000 |
公司只做原裝，可來電咨詢 |
詢價 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOP-8 |
986966 |
國產(chǎn) |
詢價 | ||
恩XP |
23+ |
SOP8 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
原廠原封可拆樣 |
65258 |
百分百原裝現(xiàn)貨,實單必成 |
詢價 | ||
恩XP |
22+ |
SOIC-8 |
25000 |
只有原裝原裝,支持BOM配單 |
詢價 | ||
PHI |
23+ |
8999999 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | |||
恩XP |
24+ |
SOP8 |
80000 |
只做自己庫存 全新原裝進口正品假一賠百 可開13%增 |
詢價 |
