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PSMN004-60B中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PSMN004-60B
廠商型號

PSMN004-60B

功能描述

N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET

文件大小

717.24 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導體(中國)有限公司

網(wǎng)址

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數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-6 20:00:00

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PSMN004-60B規(guī)格書詳情

1.1 General description

SiliconMAX standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in

a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for

use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

Low conduction losses due to low

on-state resistance

Suitable for high frequency

applications due to fast switching

characteristics

1.3 Applications

High frequency computer motherboard

DC-to-DC convertors

OR-ing applicationss

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PSMN004-60B

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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