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RJK6002DPD

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowon-resistance ?Lowleakagecurrent ?Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJK6002DPD

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

RJK6002DPE

600V-2A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowon-resistance RDS(on)=5.7Ωtyp.(atID=1A,VGS=10V,Ta=25°C) ?Lowdrivecurrent ?Highdensitymounting

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RN6002

MotorDriveCircuitApplications/PowerAmplifierApplications/PowerSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

S6002CS

EVSeries2ASensitiveSCRs

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

S6002CSRP

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Littelfuselittelfuse

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力特力特公司

S6002ESAP

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    PR6002-T

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 二極管類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    6A

  • 速度：

    快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）

  • 不同?Vr、F 時(shí)電容：

    140pF @ 4V，1MHz

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    R-6，軸向

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    R-6

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -65°C ~ 150°C

  • 描述：

    DIODE GEN PURP 100V 6A R6

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
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更多PR6002-T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-18 17:29:00

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