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PMZ390UN

N-channel TrenchMOS standard level FET

1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusing TrenchMOStechnology. 1.2Features 1.3Applications nProfile55lowerthanSOT23nFootprint90smallerthanSOT23 nLowon-stateresistancenFastswitching nLeadlesspackagenS

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PMZ390UN

30 V, N-channel Trench MOSFET;

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using Trench MOS technology.\n

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PMZ390UN

N-channel TrenchMOS standard level FET

ETC

ETC

PMZ390UNE

30 V, N-channel Trench MOSFET; ? Trench MOSFET technology\n? Low threshold voltage\n? Very fast switching\n? ElectroStatic Discharge (ESD) protection: 2 kV HBM\n? Leadless ultra small SMD plastic package: 1.0 x 0.6 x 0.48 mm\n;

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PMZ390UNE

絲印：ZY；Package：DFN1006-3；30 V, N-channel Trench MOSFET

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PMZ390UNE_15

30 V, N-channel Trench MOSFET

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

技術(shù)參數(shù)

  • Package name：

    DFN1006-3

  • Product status：

    Production

  • Channel type：

    N

  • Nr of transistors：

    1

  • VDS [max] (V)：

    30

  • VGS [max] (V)：

    8

  • RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：

    470

  • RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：

    620

  • integrated gate-source ESD protection diodes：

    Y

  • VESD HBM (V)：

    2000

  • Tj [max] (°C)：

    150

  • ID [max] (A)：

    0.9

  • QGD [typ] (nC)：

    0.2

  • QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：

    0.8

  • Ptot [max] (W)：

    0.35

  • VGSth [typ] (V)：

    0.7

  • Automotive qualified：

    N

  • Ciss [typ] (pF)：

    41

  • Coss [typ] (pF)：

    6

  • Release date：

    2015-03-12

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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