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PMV40UN

TrenchMOS? ultra low level FET

1.1Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS?technology. Productavailability: PMV40UNinSOT23. 1.2Features 1.3Applications nUltralowlevelthresholdnSurfacemountpackage. nBatterymanagementnHigh-speedswitch.

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMV40UN

N-channel TrenchMOS ultra low level FET;

Ultra low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.\n

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMV40UN

TrenchMOS ultra low level FET

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

PMV40UN

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

PMV40UN

TrenchMOS??ultra low level FET

ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

PMV40UN2

30 V, N-channel Trench MOSFET; ? Trench MOSFET technology\n? Low threshold voltage\n? Very fast switching\n? Enhanced power dissipation capability of 1000 mW\n;

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMV40UN2

絲印：K8；Package：SOT23；30 V, N-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 2.Featuresandbenefits ?TrenchMOSFETtechnology ?Lowthresholdvoltage ?Veryfastswitching ?Enhan

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMV40UN2

30 V, N-channel Trench MOSFET

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

PMV40UN2_15

30 V, N-channel Trench MOSFET

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

技術(shù)參數(shù)

  • Package name：

    SOT23

  • Product status：

    Production

  • Channel type：

    N

  • Nr of transistors：

    1

  • VDS [max] (V)：

    30

  • VGS [max] (V)：

    12

  • RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：

    44

  • RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：

    53

  • integrated gate-source ESD protection diodes：

    Y

  • Tj [max] (°C)：

    150

  • ID [max] (A)：

    4.4

  • QGD [typ] (nC)：

    1.7

  • QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：

    7

  • Ptot [max] (W)：

    0.49

  • VGSth [typ] (V)：

    0.65

  • Automotive qualified：

    N

  • Ciss [typ] (pF)：

    635

  • Coss [typ] (pF)：

    40

  • Release date：

    2014-06-03

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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19+
SOT23
10000
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16+/17+
SOT23
3500
原裝正品現(xiàn)貨供應(yīng)56
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原裝正品 可含稅交易
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