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PMV15UNEA中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PMV15UNEA
廠商型號(hào)

PMV15UNEA

功能描述

20 V, N-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

GN

封裝外殼

TO-236AB

文件大小

310.02 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-6 23:00:00

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PMV15UNEA規(guī)格書詳情

1. General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB)

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Low threshold voltage

? Extended temperature range Tj = 175 °C

? Trench MOSFET technology

? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 500 V HBM (class H1B)

? AEC-Q101 qualified

3. Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? Low-side load switch

? Switching circuits

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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