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PMV13XNEA中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PMV13XNEA
廠商型號(hào)

PMV13XNEA

功能描述

20 V, N-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

XQ

封裝外殼

SOT23

文件大小

291.79 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-21 14:01:00

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PMV13XNEA規(guī)格書詳情

1. General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted

Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Low threshold voltage

? Extended temperature range Tj = 175 °C

? Trench MOSFET technology

? Very fast switching

? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM (class H2)

? AEC-Q101 qualified

3. Applications

? DC to DC conversion

? High-speed line driver

? Low-side load switch

? Switching circuits

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NK/南科功率
2025+
SOT23
986966
國產(chǎn)
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