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PMR280UN中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PMR280UN
廠商型號(hào)

PMR280UN

功能描述

N-channel TrenchMOS ultra low level FET

絲印標(biāo)識(shí)

R5

封裝外殼

SOT416

文件大小

344.91 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-15 20:00:00

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PMR280UN規(guī)格書詳情

1.1 General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in ultra small

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOS technology.

1.2 Features and benefits

? Surface mounted package

? Low on-state resistance

? Footprint 63 smaller than SOT23

? Low threshold voltage

1.3 Applications

? Driver circuits ? Switching in portable appliances

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PMR280UN

  • 功能描述:

    MOSFET UTRENCHMOS(TM) FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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