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PMN50XP

P-channel TrenchMOS extremely low level FET

1.1Generaldescription ExtremelylowlevelP-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)ina plasticpackage.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseincomputing, communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Features 1.3Applications Lowon-statelosse

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

PMN50XP

P-channel TrenchMOS extremely low level FET

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PMN50XP

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

詳細參數

  • 型號:

    PMN50XP

  • 功能描述:

    MOSFET TRENCH 30V G3-TAPE2 REVERSE

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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