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PMN34UN	文件：234.72 Kbytes Page：12 Pages	TrenchMOS ultra low level FET Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?technology. Productavailability: PMN34UNinSOT457(TSOP6). Features ■TrenchMOS?technology ■Veryfastswitching ■Lowthresholdvoltage ■Surfacemountpackage. Applications ■Batt	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PMN34UN	文件：477.69 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?LowOn-Resistance ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverters,HighSpeedSwitching	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
PMN34UN	文件：338.95 Kbytes Page：13 Pages	mTrenchMOS? ultra low level FET 1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS?technology. Productavailability: PMN34UNinSOT457(TSOP6). 2.Features nTrenchMOS?technology nVeryfastswitching nLowthresholdvoltage nSurfacemountpackage. 3.Applications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA

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TrenchMOS ultra low level FET

Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?technology. Productavailability: PMN34UNinSOT457(TSOP6). Features ■TrenchMOS?technology ■Veryfastswitching ■Lowthresholdvoltage ■Surfacemountpackage. Applications ■Batt

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

Philips

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文件：477.69 Kbytes

Page：9 Pages

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?LowOn-Resistance ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverters,HighSpeedSwitching

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

VBSEMI

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mTrenchMOS? ultra low level FET

1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS?technology. Productavailability: PMN34UNinSOT457(TSOP6). 2.Features nTrenchMOS?technology nVeryfastswitching nLowthresholdvoltage nSurfacemountpackage. 3.Applications

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

NEXPERIA

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
PMN34UN
功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	PMN34UN	NEXPERIA/安世	25+	SOT23-6	38300	NEXPERIA/安世全新特價(jià)PMN34UN即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨	詢價(jià)
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