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PMN27UN

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?LowOn-Resistance ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverters,HighSpeedSwitching

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

PMN27UN

TrenchMOS? ultra low level FET

1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS?technology. Productavailability: PMN27UNinSOT457(TSOP6). 2.Features nTrenchMOS?technology nVeryfastswitching nLowthresholdvoltage nSurfacemountpackage. 3.Applications

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PMN27UN

TrenchMOS ultra low level FET

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    PMN27UN

  • 功能描述：

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NEXPERIA/安世
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SOT23-6
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原裝正品 可含稅交易
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更多PMN27UN供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-26 17:26:00

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