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PMMT591A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

PMMT591A
廠商型號

PMMT591A

參數(shù)屬性

PMMT591A 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 40V 1A TO236AB

功能描述

PNP BISS transistor

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

42.68 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

PHI

中文名稱

飛利浦

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-5 16:56:00

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PMMT591A規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

PNP BISS (Breakthrough In Small Signal) transistor in a SOT23 plastic package. NPN complement: PMMT491A.

FEATURES

? High current (max. 1 A)

? Low collector-emitter saturation voltage ensures reduced power consumption.

APPLICATIONS

? Battery powered units where high current and low power consumption are important.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PMMT591A,235

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 100mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 100mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    150MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 1A TO236AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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