PMGD280UN中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
PMGD280UN |
功能描述 | Dual N-channel mTrenchMOS? ultra low level FET |
文件大小 |
212.17 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
13 頁 |
生產(chǎn)廠商 | NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved |
中文名稱 | 安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-9-11 10:07:00 |
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PMGD280UN規(guī)格書詳情
1.1 Description
Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS? technology.
1.2 Features
1.3 Applications
n Surface mounted package n Footprint 40 smaller than SOT23
n Dual device n Fast switching
n Low on-state resistance n Low threshold voltage.
n Driver circuits n Switching in portable appliances.
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
PMGD280UN
- 功能描述:
MOSFET N-CH TRENCH DL 20V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
1347+;1136+;1021+ |
SOT363 |
2830 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
24+ |
SOT363-6 |
2600 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
NEXPERIA |
23+ |
SOT-363 |
167500 |
原廠原裝正品 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
2511 |
N/A |
6000 |
電子元器件采購降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價(jià) |
詢價(jià) | ||
恩XP |
19+ |
SOT363 |
30000 |
全新原裝公司現(xiàn)貨
|
詢價(jià) | ||
恩XP |
24+ |
SOT-363 |
65200 |
一級(jí)代理/放心采購 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
24+ |
SC-88-6SOT-363UM |
115 |
詢價(jià) | |||
恩XP |
24+ |
N/A |
20000 |
原廠直供原裝正品 |
詢價(jià) | ||
NEXP |
2020+PB |
SOT363 |
11800 |
原裝正品 可含稅交易 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
25+ |
SMD |
8880 |
原裝認(rèn)準(zhǔn)芯澤盛世! |
詢價(jià) |