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R6020ANX

10VDriveNchMOSFET

Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Gate-sourcevoltage(VGSS)guaranteedtobe±30V. 4)Drivecircuitscanbesimple. 5)Paralleluseiseasy. 6)Pb-freeleadplating;RoHScompliant Application SwitchingPowerSupply

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

R6020ANZ

10VDriveNchMOSFET

?Features 1)Lowon-resistance. 2)Lowinputcapacitance. 3)HighESD. ?Application Switching ?Structure SiliconN-channelMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

R6020ENJ

Nch600V20APowerMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

R6020ENJ

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

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Nch600V20APowerMOSFET

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羅姆羅姆半導體集團

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無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

R6020FNJ

Nch600V20APowerMOSFET

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羅姆羅姆半導體集團

R6020FNX

10VDriveNchMOSFET

Features 1)Fastreverserecoverytime(trr). 2)Lowon-resistance. 3)Fastswitchingspeed. 4)Gate-sourcevoltage(VGSS)guaranteedtobe?30V. 5)Drivecircuitscanbesimple. 6)Paralleluseiseasy. 7)Pb-freeleadplating;RoHScompliant Application SwitchingPowerSupply

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羅姆羅姆半導體集團

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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