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R6020ANJ	文件：237.41 Kbytes Page：6 Pages	10VDriveNchMOSFET 10VDriveNchMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Gate-sourcevoltage(VGSS)guaranteedtobe±30V. 4)Drivecircuitscanbesimple. 5)Paralleluseiseasy. Applications Switching Structure SiliconN-channelMOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
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R6020ANX	文件：237.11 Kbytes Page：6 Pages	10VDriveNchMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Gate-sourcevoltage(VGSS)guaranteedtobe±30V. 4)Drivecircuitscanbesimple. 5)Paralleluseiseasy. 6)Pb-freeleadplating;RoHScompliant Application SwitchingPowerSupply	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
R6020ANZ	文件：1.16191 Mbytes Page：6 Pages	10VDriveNchMOSFET ?Features 1)Lowon-resistance. 2)Lowinputcapacitance. 3)HighESD. ?Application Switching ?Structure SiliconN-channelMOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
R6020ENJ	文件：2.53832 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V20APowerMOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
R6020ENJ	文件：298.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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R6020ENX	文件：296.07 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
R6020ENZ	文件：951.17 Kbytes Page：13 Pages	Nch600V20APowerMOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
R6020ENZ	文件：309.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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