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PMDXB950UPEL

20 V, dual P-channel Trench MOSFET; ? Low leakage current\n? Trench MOSFET technology\n? Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm\n? Exposed drain pad for excellent thermal conduction\n? ElectroStatic Discharge (ESD) protection >1kVHBM\n? Drain-source on-state resistance RDSon =1.02Ω\n;

Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PMDXB950UPEL

Marking：B111；Package：DFN1010B-6；20 V, dual P-channel Trench MOSFET

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PMH950UPE

20V,P-channelTrenchMOSFET

1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN0606-3 (SOT8001)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?Veryfastswitching ?TrenchMOSFETte

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PMZ950UPE

20V,P-channelTrenchMOSFET

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20V,P-channelTrenchMOSFET

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PMZB950UPE

20V,P-channelTrenchMOSFET

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RPS-950

Cloud-ManagedSwitchingMadeEasy

SwitchFeatues ?12-port,24-port,and48-portmodelswithGigabitandmulti-GigabitEthernetaccessportoptions ?4x1/10Gbuplink/stackingportsonall4220models ?4x1/10/25Gbuplinkportsplus2x100Gbuplink/stackingportson4120models ?30W,60W,90WPoEoptionsforpoweredconne

EXTREMENETWORKS

Extreme Networks.

RPS-950W

Cloud-ManagedSwitchingMadeEasy

SwitchFeatues ?12-port,24-port,and48-portmodelswithGigabitandmulti-GigabitEthernetaccessportoptions ?4x1/10Gbuplink/stackingportsonall4220models ?4x1/10/25Gbuplinkportsplus2x100Gbuplink/stackingportson4120models ?30W,60W,90WPoEoptionsforpoweredconne

EXTREMENETWORKS

Extreme Networks.

RUT950

INDUSTRIALCELLULARROUTER

FEATURES MOBILE Mobilemodule4G(LTE)-Cat4upto150Mbps,3G-Upto42Mbps,2G-Upto236.8kbps

TELTONIKA

TELTONIKA NETWORKS.

技術(shù)參數(shù)

  • Package name：

    DFN1010B-6

  • Product status：

    Production

  • Channel type：

    P

  • Nr of transistors：

    2

  • VDS [max] (V)：

    -20

  • VGS [max] (V)：

    8

  • RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：

    1400

  • RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：

    2200

  • integrated gate-source ESD protection diodes：

    Y

  • VESD HBM (V)：

    1000

  • Tj [max] (°C)：

    150

  • ID [max] (A)：

    -0.5

  • QGD [typ] (nC)：

    0.1

  • QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：

    1.1899999

  • Ptot [max] (W)：

    0.265

  • VGSth [typ] (V)：

    -0.7

  • Automotive qualified：

    N

  • Ciss [typ] (pF)：

    43

  • Coss [typ] (pF)：

    14

  • Release date：

    2016-06-28

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
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Nexperia/安世
22+
SOT1216
100000
原廠原裝正品現(xiàn)貨
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69820
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!
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2447
SOT1216
115000
5000個(gè)/圓盤一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,
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DFN1010B6
9000
原裝正品，支持實(shí)單
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NEXPERIA/安世
22+
SOT1216
10990
原裝正品
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更多PMDXB950UPEL供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 10:07:00

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