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PMDXB1200UPE	文件：724.13 Kbytes Page：15 Pages	Marking：111000；Package：DFN1010B-6；30 V, dual P-channel Trench MOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PMDXB1200UPE_15	文件：242.11 Kbytes Page：15 Pages	30 V, dual P-channel Trench MOSFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PMH1200UPE	文件：278.8 Kbytes Page：14 Pages	30V,P-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN0606-3 (SOT8001)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?Veryfastswitching ?TrenchMOSFETte	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PMZ1200UPE	文件：710.78 Kbytes Page：15 Pages	30V,P-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PMZB1200UPE	文件：709.21 Kbytes Page：15 Pages	30V,P-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
POR-1200	文件：454.67 Kbytes Page：3 Pages	IEEE802.310Base-T,Ethernet	LVL1 Level One	LVL1
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PR1200	文件：142.07 Kbytes Page：2 Pages	PHOTOFLASHRECTIFIER VOLTAGERANGE1000to1600Volt CURRENT0.5Ampere FEATURES ?Fastswitching. ?Lowleakage ?Highforwardsurgecurrentcapability. ?Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10seconds,0.375(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)tension.	MICMIC GROUP RECTIFIERS 昌福電子昌福電子有限公司	MIC
PR1200	文件：60.14 Kbytes Page：2 Pages	PHOTOFLASHRECTIFIER ReverseVoltage-1000to1800Volts ForwardCurrent-0.1Ampere Features ●Fastswitching ●Lowleakage ●Lowforwardvoltagedrop ●Highcurrentcapability ●Highsurgecapability ●Highreliability	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
PR1200FPT	文件：77.57 Kbytes Page：2 Pages	PHOTOFLASHRECTIFIER VOLTAGERANGE1000-1800VoltsCURRENT0.1Ampere FEATURES Fastswitching Lowleakage Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highsurgecapability Highreliability	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO

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