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PMDT670UPE中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
PMDT670UPE |
功能描述 | 20 V, 550 mA dual P-channel Trench MOSFET |
絲印標(biāo)識 | |
封裝外殼 | SOT666 |
文件大小 |
262.87 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
14 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企業(yè)簡稱 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名稱 | 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-4 13:57:00 |
人工找貨 | PMDT670UPE價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PMDT670UPE規(guī)格書詳情
1. General description
Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead
SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
2. Features and benefits
? Very fast switching
? Trench MOSFET technology
? ESD protection up to 2 kV
3. Applications
? Relay driver
? High-speed line driver
? High-side loadswitch
? Switching circuits
產(chǎn)品屬性
- 型號:
PMDT670UPE
- 功能描述:
MOSFET 20V 550 MA DUAL P-CH TRENCH MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
2450+ |
SOT-666-6 |
6540 |
只做原廠原裝正品終端客戶免費(fèi)申請樣品 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
22+ |
SOT-666 |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
24+ |
SOT563 |
60000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT666 |
39197 |
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
23+ |
SOT563 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | |||
恩XP |
2511 |
N/A |
6000 |
電子元器件采購降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價(jià) |
詢價(jià) | ||
恩XP |
23+ |
N/A |
12000 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
16000 |
原裝正品現(xiàn)貨支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
53000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-563 |
986966 |
國產(chǎn) |
詢價(jià) |