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PMDT290UNE中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
PMDT290UNE |
| 功能描述 | 20 V, 800 mA dual N-channel Trench MOSFET |
| 絲印標識 | |
| 封裝外殼 | SOT666 |
| 文件大小 |
270.54 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
14 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名稱 | 安世 安世半導體(中國)有限公司 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-21 18:50:00 |
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PMDT290UNE規(guī)格書詳情
1. General description
Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead
SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
2. Features and benefits
? Very fast switching
? Trench MOSFET technology
? ESD protection up to 2 kV
3. Applications
? Relay driver
? High-speed line driver
? Low-side loadswitch
? Switching circuits
產(chǎn)品屬性
- 型號：
PMDT290UNE
- 功能描述：
MOSFET 20V 800 MA DUAL N-CH TRENCH MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-563 |
986966 |
國產(chǎn) |
詢價 | ||
恩XP |
2450+ |
SOT666-6 |
6540 |
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詢價 | ||
NEXPERIA/安世 |
21+ |
SOT-666-6 |
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Nexperia(安世) |
23+ |
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22+ |
SOT-666-6 |
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25+ |
SOT-666 |
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NEXPERIA |
24+ |
N/A |
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詢價 | ||
恩XP |
25+ |
SOT666 |
880000 |
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詢價 | ||
Nexperia(安世) |
24+ |
N/A |
9159 |
原廠可訂貨,技術支持,直接渠道?？珊灡９┖贤?/div> |
詢價 | ||
NEXPERIA/安世 |
21+ |
SOT-666-6 |
5000 |
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詢價 |
