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PMDPB58UPE

Marking：2A；Package：SOT1118；20 V dual P-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription Dualsmall-signalP-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)ina leadlessmediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plastic packageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?Veryfastswitching

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMDPB58UPE_15

20 V dual P-channel Trench MOSFET

PhilipsPhilips Semiconductors

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更多PMDPB58UPE供應(yīng)商 更新時間2025-7-10 23:00:00

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