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PMDPB56XN,115數(shù)據(jù)手冊恩XP中文資料規(guī)格書

PDF無圖
廠商型號

PMDPB56XN,115

功能描述

MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6

制造商

恩XP 恩XP

中文名稱

N智浦

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-13 23:01:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :PMDPB56XN,115

  • 生產(chǎn)廠家

    :恩XP

  • FET 功能

    :邏輯電平門

  • 漏源電壓(Vdss)

    :30V

  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)

    :3.1A

  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)

    :73 毫歐 @ 3.1A,4.5V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)

    :1.5V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)

    :2.9nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)

    :170pF @ 15V

  • 功率 - 最大值

    :510mW

  • 工作溫度

    :-55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型

    :表面貼裝

  • 封裝/外殼

    :6-UDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝

    :DFN2020-6

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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