PMBT5551分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PMBT5551 |
| 參數(shù)屬性 | PMBT5551 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 160V 0.3A TO236AB |
| 功能描述 | NPN high-voltage transistor |
| 封裝外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
118.29 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-7 18:25:00 |
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DESCRIPTION
NPN high-voltage transistor in a SOT23 plastic package.
PNP complement: PMBT5401.
FEATURES
? Low current (max. 300 mA)
? High voltage (max. 160 V).
APPLICATIONS
? General purpose
? Telephony.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
PMBT5551,235
- 制造商：
ETC
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
50nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
- 頻率 - 躍遷：
300MHz
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-236AB
- 描述：
TRANS NPN 160V 0.3A TO236AB
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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