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PZT4403

PNPswitchingtransistor

DESCRIPTION PNPswitchingtransistorinaSOT223plasticpackage.NPNcomplement:PZT4401. FEATURES ?Highcurrent(max.600mA) ?Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS ?Switchingandlinearamplification.

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PZT4403

40V,600mAPNPswitchingtransistor

1.1Generaldescription PNPswitchingtransistorinamediumpowerSOT223(SC-73)smallSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PZT4401. 1.2Featuresandbenefits Highcurrent(max.600mA) Lowvoltage(max.40V) 1.3Applications Switchingandlinearamplification

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PZT4403

SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES LowVoltageandHighCurrent ComplementarytoPZT4401 LinearAmplifierandSwitchApplications

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

PZT4403

EpitaxialPlanarTransistor

Description ThePZT4403isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. Features *HighPowerDissipation:1500mWat25°C *HighDCCurrentGain:100~300at150mA *ComplementarytoPZT4401

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

PZT4403

TRANSISTOR(PNP)

TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司

PZT4403

SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●LowVoltageandHighCurrent ●ComplementarytoPZT4401 ●LinearAmplifierandSwitchApplications

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

SEC4403C

SideViewSurfaceMountLEDs(InnerLensType)

SankenSanken electric

三墾三墾電氣株式會(huì)社

SEC4403E-TG

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三墾三墾電氣株式會(huì)社

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI4403BDY

P-Channel1.8-V(G-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFETs ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PMBT4403Z

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    750mV @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    200MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 0.6A TO236AB

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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