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PXT3904

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES ?ComplimenttoPXT3906 ?Lowcurrent ?Lowvoltage

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導(dǎo)體深圳市金譽半導(dǎo)體股份有限公司

PXT3904

SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ?ComplimenttoPXT3906 ?Lowcurrent ?Lowvoltage

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

PXT3904

NPNGeneralPurposeAmplifier

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

PXT3904

NPNSwitchingTransistor

FEATURES ●Highcurrent. ●Lowvoltage. APPLICATIONS ●High-speedswitching.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

PXT3904

SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors

FEATURES eComplimenttoPXT3906 eLowcurrent eLowvoltage

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

PXT3904U

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES ComplimenttoPXT3906U Lowcurrent Lowvoltage

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

PZT3904

NPNGeneralPurposeAmplifier

Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitch.Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto100MHzasanamplifier.

PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd.

平盛電子深圳市平盛電子有限公司

PZT3904

GeneralPurposeTransistor

FEATURES Powerdissipation PCM:1W?Tamb=25°C Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ?Tstg:-55℃to+150℃

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

PZT3904

NPNswitchingtransistor

DESCRIPTION NPNswitchingtransistorinaSOT223plasticpackage.PNPcomplement:PZT3906. FEATURES ?Lowcurrent(max.200mA) ?Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS ?High-speedsaturatedswitching.

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PZT3904

SMALLSIGNALNPNTRANSISTOR

■SILICONEPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR ■SOT-223PLASTICPACKAGEFORSURFACEMOUNTINGCIRCUITS ■TAPEANDREELPACKING ■THEPNPCOMPLEMENTARYTYPEISPZT3906 APPLICATIONS ■WELLSUITABLEFORSMDMOTHERBOARDASSEMBLY ■SMALLLOADSWITCHTRANSISTORWITHHIGHGAINANDLOWSAT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

詳細參數(shù)

  • 型號：

    PMBT3904YS

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
恩XP
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標準封裝
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全新原裝正品/價格優(yōu)惠/質(zhì)量保障
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恩XP
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SOT-363
43050
原裝正品現(xiàn)貨
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更多PMBT3904YS供應(yīng)商 更新時間2025-7-20 22:59:00

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