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PZT3904

NPNTransistors

■Features ●LowVoltageandLowCurrent ●GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication ●ComplementarytoPZT3906

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

PZT3904

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司

PZT3904

SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowVoltageandLowCurrent ●ComplementarytoPZT3906 ●GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

PZT3904

NPNGeneralPurposeAmplifier

Features ?SurfaceMountSOT-223Package ?LowVoltageandLowCurrent ?GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoistureSensitivityLevel1 ?Marking:ZT3904

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

PZT3904

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

Features LowVoltageandLowCurrent ComplementarytoTPPZT3906 GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司

PZT3904-C

SiliconPlanarMediumPowerTransistor

DESCRIPTION ?GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication ?LowVoltageandLowCurrent

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

S3904

NMOSlinearimagesensorCurrentoutput,highUVsensitivity,excellentlinearity,lowpowerconsumption

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

濱松光子濱松光子學(xué)株式會(huì)社

S3904

NMOSLinearimagesensor

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

濱松光子濱松光子學(xué)株式會(huì)社

S3904-F

NMOSlinearimagesensor

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

濱松光子濱松光子學(xué)株式會(huì)社

SBT3904

NPNSiliconTransistor

Descriptions ?Generalsmallsignalapplication ?Switchingapplication Features ?Lowcollectorsaturationvoltage ?Collectoroutputcapacitance ?ComplementarypairwithSBT3906

AUK

AUK corp

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更多PMBT3904RA供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-23 16:20:00

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