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PJD55N10A_L2_00001中文資料強(qiáng)茂數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PJD55N10A_L2_00001
廠商型號(hào)

PJD55N10A_L2_00001

功能描述

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

D55N10A

封裝外殼

TO-252AA

文件大小

630.5 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

PANJIT

中文名稱

強(qiáng)茂

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-8 23:00:00

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PJD55N10A_L2_00001規(guī)格書詳情

特性 Features

? RDS(ON), VGS@10V, ID@20A<18mΩ

? RDS(ON), VGS@4.5V, ID@15A<20mΩ

? High switching speed

? Improved dv/dt capability

? Low reverse transfer capacitance

? Lead free in compliance with EU RoHS 2.0

? Green molding compound as per IEC 61249 standard

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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