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PIMT1中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PIMT1
廠商型號

PIMT1

功能描述

PNP general purpose double transistor

絲印標(biāo)識

M1

封裝外殼

SC-74

文件大小

279.91 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
NEXPERIA
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-2 20:00:00

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PIMT1規(guī)格書詳情

FEATURES

?600 mW total power dissipation

?Low current (max. 100 mA)

?Low voltage (max. 40 V)

?Reduces number of components and required PCB area

?Reduced pick and place costs.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PIMT1

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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