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PHX18NQ20T

N-channel enhancement mode field-effect transistor

Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?1technology. Productavailability: PHX18NQ20TinSOT186A Features ■TrenchMOS?technology ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching ■Lowthermalresistance ■Isolatedtab. Applicati

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHX18NQ20T

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=8.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

PHB18NQ20T

N-channelTrenchMOStransistor

GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistorusingTrenchtechnology,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications.

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHB18NQ20T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

PHP18NQ20T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

PHP18NQ20T

N-channelTrenchMOStransistor

GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistorusingTrenchtechnology,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications.

PhilipsPhilips Semiconductors

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    PHX18NQ20T

  • 功能描述：

    MOSFET RAIL PWR-MOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
PHI
24+
TO-220
230
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
PH
24+
SOT186ATO-220F
8866
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23+
SOT186A
21000
全新原裝
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恩XP
23+
TO-220F
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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65200
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6000
十年配單,只做原裝
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23+
NA
132000
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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更多PHX18NQ20T供應商 更新時間2025-7-24 16:36:00

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