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PHT8N06T中文資料飛利浦數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PHT8N06T
廠商型號

PHT8N06T

功能描述

TrenchMOS transistor Standard level FET

文件大小

72.26 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Philips Semiconductors
企業(yè)簡稱

PHI飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-7-31 11:40:00

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PHT8N06T規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting. Using ’trench’ technolgy the device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection. It is intended for use in DC-DC converters and general purpose switching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PHT8N06T

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | SOT-223

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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