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PHT6NQ10T數(shù)據(jù)手冊Nexperia中文資料規(guī)格書

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廠商型號

PHT6NQ10T

功能描述

N-channel TrenchMOS standard level FET

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-10 23:01:00

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PHT6NQ10T規(guī)格書詳情

描述 Description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

技術(shù)參數(shù)

  • 型號:

    PHT6NQ10T

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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