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PHT6N06T數(shù)據(jù)手冊(cè)恩XP中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

PHT6N06T

功能描述

TrenchMOS? standard level FET

制造商

恩XP 恩XP

中文名稱

N智浦

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-10 23:01:00

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PHT6N06T規(guī)格書詳情

描述 Description

N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS? technology.
Product availability:
PHT6N06T in SOT223.

技術(shù)參數(shù)

  • 型號(hào):

    PHT6N06T

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
恩XP
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