PHT6N06T中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
PHT6N06T |
| 功能描述 | TrenchMOS? standard level FET |
| 文件大小 |
345.7 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
13 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名稱 | 安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-12 11:42:00 |
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PHT6N06T規(guī)格書詳情
1.1 Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS? technology.
Product availability:
PHT6N06T in SOT223.
1.2 Features
1.3 Applications
n Low on-state resistance n Low QGD
n Fast switching n Surface mounting package.
n DC to DC converters n General purpose switching.
產(chǎn)品屬性
- 型號：
PHT6N06T
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
2016+ |
SOT-223 |
3500 |
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詢價 | ||
PHI |
1822+ |
SOT-223 |
6852 |
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詢價 | ||
PHI |
24+ |
TO-223 |
2987 |
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詢價 | ||
恩XP |
24+ |
SOT223 |
12000 |
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詢價 | ||
恩XP |
2511 |
N/A |
6000 |
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詢價 | ||
恩XP |
21+ |
SOT223 |
12588 |
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詢價 | ||
恩XP |
24+ |
SOT-223 |
15000 |
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詢價 | ||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
NA |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT-223 |
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PHI |
24+ |
SOT223 |
20000 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價 |
