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PHT11N06T中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PHT11N06T
廠商型號

PHT11N06T

功能描述

TrenchMOS transistor Standard level FET

文件大小

75.34 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Philips Semiconductors
企業(yè)簡稱

PHI飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦

原廠標(biāo)識

PHILIPS

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-8-6 13:56:00

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PHT11N06T規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting. Using ’trench’ technology the device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESDprotection. It is intended for use in DC-DC converters and general purpose switching applications.

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