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PHPT60610PYX

Package：SC-100，SOT-669；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP 60V 10A LFPAK56 PWRSO8

ETC

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PHPT60610NY

60V,10ANPNhighpowerbipolartransistor

1.Generaldescription NPNhighpowerbipolartransistorinaSOT669(LFPAK56)Surface-MountedDevice(SMD)power plasticpackage. PNPcomplement:PHPT60610PY 2.Featuresandbenefits ?Highthermalpowerdissipationcapability ?Hightemperatureapplicationsupto175°C ?ReducedPrinte

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PHPT60610NY-Q

60V,10ANPNhighpowerbipolartransistor

1.Generaldescription NPNhighpowerbipolartransistorinaSOT669(LFPAK56)Surface-MountedDevice(SMD)power plasticpackage. PNPcomplement:PHPT60610PY-Q 2.Featuresandbenefits ?Highthermalpowerdissipationcapability ?Hightemperatureapplicationsupto175°C ?ReducedPrin

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PHPT60610PY

60V,10APNPhighpowerbipolartransistor

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PHPT60610PY-Q

60V,10APNPhighpowerbipolartransistor

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    PHPT60610PYX

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    470mV @ 1A，10A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    120 @ 500mA，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    85MHz

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-100，SOT-669

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    LFPAK56，Power-SO8

  • 描述：

    TRANS PNP 60V 10A LFPAK56 PWRSO8

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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