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PHN203中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PHN203
廠商型號(hào)

PHN203

功能描述

Dual N-channel TrenchMOS logic level FET

文件大小

767.02 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-23 23:01:00

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PHN203規(guī)格書詳情

1.1 General description

Dual logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

Suitable for high frequency

applications due to fast switching

characteristics

Suitable for logic level gate drive

sources

1.3 Applications

DC-to-DC converters

Lithium-ion battery applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PHN203

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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