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PHN203中文資料飛利浦數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PHN203
廠商型號

PHN203

功能描述

Dual N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor

文件大小

98.6 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Philips Semiconductors
企業(yè)簡稱

PHI飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-7-30 23:00:00

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PHN203規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device has very low on-state resistance. It is intended for use in dc to dc converters and general purpose switching applications.

The PHN203 is supplied in the SOT96-1 (SO8) surface mounting package.

FEATURES

? Dual device

? Low threshold voltage

? Fast switching

? Logic level compatible

? Surface mount package

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PHN203

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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