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PHKD13N03LT中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PHKD13N03LT
廠商型號(hào)

PHKD13N03LT

功能描述

Dual N-channel TrenchMOS logic level FET

文件大小

781.66 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-6 11:47:00

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PHKD13N03LT規(guī)格書詳情

1.1 General description

Dual logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

? Low conduction losses due to low

on-state resistance

? Simple gate drive required due to low

gate charge

? Suitable for high frequency

applications due to fast switching

characteristics

1.3 Applications

? DC-to-DC convertors

? Lithium-ion battery applications

? Notebook computers

? Portable equipment

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PHKD13N03LT

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFET N-CH TRENCH DL 30V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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