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PHF14NQ20T中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

PHF14NQ20T
廠(chǎng)商型號(hào)

PHF14NQ20T

功能描述

N-channel TrenchMOS transistor

文件大小

68.9 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 Philips Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

PHI飛利浦

中文名稱(chēng)

荷蘭皇家飛利浦

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-10 22:58:00

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PHF14NQ20T規(guī)格書(shū)詳情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic full pack envelope using ’trench’ technology. The device has very low on-state resistance. It is intended for use in dc to dc converters and general purpose switching applications.

The PHX14NQ20T is supplied in the SOT186A (FPAK) conventional leaded package.

FEATURES

? ’Trench’ technology

? Low on-state resistance

? Fast switching

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
CYNTEC
2016+
SMD
5386
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