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PHE13007分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

PHE13007
廠商型號

PHE13007

參數(shù)屬性

PHE13007 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 400V 8A TO220AB

功能描述

Silicon Diffused Power Transistor

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

71.69 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Philips Semiconductors
企業(yè)簡稱

PHI飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-7-30 23:00:00

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PHE13007規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

The PHE13007 is a silicon npn power switching transistor in the TO220AB envelope intended for use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor control systems, etc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PHE13007,127

  • 制造商:

    WeEn Semiconductors

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    350mV @ 1A,5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    200μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    8 @ 2A,5V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    TRANS NPN 400V 8A TO220AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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