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PHD6N10E中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PHD6N10E
廠商型號(hào)

PHD6N10E

功能描述

PowerMOS transistor

文件大小

70.04 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Philips Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

PHI飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦

原廠標(biāo)識(shí)

PHILIPS

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-1 23:00:00

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PHD6N10E規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting featuring high avalanche energy capability, stable blocking voltage, fast switching and high thermal cycling performance with low thermal resistance. Intended for use in Switched Mode Power Supplies (SMPS), motor control circuits and general purpose switching applications.

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