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PHD38N02LT中文資料飛利浦數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
PHD38N02LT規(guī)格書詳情
描述 Description
N-channel logic level field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS? technology.
Product availability:
PHB38N02LT in SOT404 (D2-PAK)
PHD38N02LT in SOT428 (D-PAK).
特性 Features
■ Low on-state resistance
■ 2.5 V gate drive.
Applications
■ Linear regulator for DDR memory.
產(chǎn)品屬性
- 型號:
PHD38N02LT
- 功能描述:
MOSFET TAPE13 MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
25+ |
TO-252 |
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詢價 | ||
PHI |
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SOT-252 |
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詢價 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
100 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
恩XP |
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全新原裝現(xiàn)貨,可出樣品,可開增值稅發(fā)票 |
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恩XP |
08+P |
TO-252 |
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深圳原裝進口無鉛現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
恩XP |
24+ |
TO-252 |
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恩XP |
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TO-252 |
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恩XP |
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恩XP |
23+ |
TO-252 |
30000 |
全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢 |
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PHI |
1709+ |
TO-252/D- |
32500 |
普通 |
詢價 |