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QST108

Capacitivetouchsensordevice8keyswithindividualkeystateoutputsorI2Cinterface

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    PHD108NQ

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
恩XP
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只做原廠渠道 可追溯貨源
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恩XP
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免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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更多PHD108NQ供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-14 16:40:00

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