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PHX14NQ20T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=230mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DCtoDCconverters ·Generalpurposeswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

PHX14NQ20T

N-channelTrenchMOStransistor

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticfullpackenvelopeusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHX14NQ20Tissupplie

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

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更多PHB14NQ20T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-10 14:52:00

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