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PHB11N06LT中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PHB11N06LT
廠商型號

PHB11N06LT

功能描述

TrenchMOS transistor Logic level FET

文件大小

76.41 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

PHI

中文名稱

飛利浦

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-3 11:16:00

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PHB11N06LT規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.

The PHP11N06LT is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.

The PHB11N06LT is supplied in the SOT404 (D2PAK) surface mounting package.

The PHD11N06LT is supplied in the SOT428 (DPAK) surface mounting package.

FEATURES

? ’Trench’technology

? Low on-state resistance

? Fast switching

? Logic level compatible

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PHB11N06LT

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
PHI
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