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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    PHB119NQ06T,118

  • 功能描述:

    MOSFET TRENCHMOS(TM)FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
恩XP
22+
NA
45000
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詢價
恩XP
2022+
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
詢價
NK/南科功率
2025+
TO-263-2
986966
國產(chǎn)
詢價
PHI
1415+
TO-263
28500
全新原裝正品,優(yōu)勢熱賣
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恩XP
23+
TO-263
11846
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08+
TO-263
20000
普通
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SOT404(D
22+
6000
十年配單,只做原裝
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TO-263
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全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售!
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23+
SOT404(D
6000
原裝正品,支持實單
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PHI
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢價
更多PHB119NQ06T,118供應(yīng)商 更新時間2025-9-5 10:08:00