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PH8230E中文資料數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PH8230E
廠商型號(hào)

PH8230E

功能描述

N-channel TrenchMOS logic level FET

文件大小

184.08 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-4 23:01:00

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PH8230E規(guī)格書詳情

General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

Features and benefits

■ Higher operating power due to low

thermal resistance

■ Low conduction losses due to low

on-state resistance

■ Simple gate drive required due to low

gate charge

Applications

■ DC-to-DC convertors

■ Notebook computers

■ Portable equipment

■ Switched-mode power supplies

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PH8230E

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH TRENCH 30V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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24+
NA/
15850
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
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全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障
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