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PINA350ABSIDSGR

INA350CostandSizeOptimized,LowPower,1.8-Vto5.5-VSelectableGainInstrumentationAmplifier

1Features ?Idealforsize,cost,andpowerconsciousdesigns ?Selectablegainoptions –G=10orG=20(INA350ABS) –G=30orG=50(INA350CDS) ?Spacesavingultra-smallpackageoptions –10-pinX2QFN(RUG)–3mm2 –8-pinWSON(DSG)–4mm2 –8-pinSOT23-THN(DDF)–4.64mm2 ?Op

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

PINA350CDSIDDFR

INA350CostandSizeOptimized,LowPower,1.8-Vto5.5-VSelectableGainInstrumentationAmplifier

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

PINA350CDSIDDFR

INA350CostandSizeOptimized,LowPower,1.8-Vto5.5-VSelectableGainInstrumentationAmplifier

1Features ?Idealforsize,cost,andpowerconsciousdesigns ?Selectablegainoptions –G=10orG=20(INA350ABS) –G=30orG=50(INA350CDS) ?Spacesavingultra-smallpackageoptions –10-pinX2QFN(RUG)–3mm2 –8-pinWSON(DSG)–4mm2 –8-pinSOT23-THN(DDF)–4.64mm2 ?Op

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

PINA350CDSIDSGR

INA350CostandSizeOptimized,LowPower,1.8-Vto5.5-VSelectableGainInstrumentationAmplifier

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

PINA350CDSIDSGR

INA350CostandSizeOptimized,LowPower,1.8-Vto5.5-VSelectableGainInstrumentationAmplifier

1Features ?Idealforsize,cost,andpowerconsciousdesigns ?Selectablegainoptions –G=10orG=20(INA350ABS) –G=30orG=50(INA350CDS) ?Spacesavingultra-smallpackageoptions –10-pinX2QFN(RUG)–3mm2 –8-pinWSON(DSG)–4mm2 –8-pinSOT23-THN(DDF)–4.64mm2 ?Op

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

PLED350S

PLEDUltraLowHoldingCurrentSeries

Description ThisPLEDultra-lowholdingcurrentseriesexhibitsa lowholdingcurrentparameterthatmakesitcompatible withLEDlightingstrings.Theseriesprovideaswitching electroniccharacteristicsforanfluorescenttube replacementbyanLEDstring.Ithelpstomakethe Fluorescent

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

PMXB350UPE

20V,P-channelTrenchMOSFET

1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?TrenchMOSFETtechnology ?Leadlessultrasmallandultrathi

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMZ350UPE

20V,P-channelTrenchMOSFET

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMZ350XN

N-channelTrenchMOSstandardlevelFET

1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusing TrenchMOStechnology. 1.2Features 1.3Applications nProfile55lowerthanSOT23nFootprint90smallerthanSOT23 nLowon-stateresistancenLowthresholdvoltage nLeadlesspack

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMZB350UPE

20V,singleP-channelTrenchMOSFET

1.1Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmall DFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?Veryfastswitching ?TrenchMOSFE

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    PH350MQMJ

  • 制造商：

    Hammond Power Solutions

  • 功能描述：

    Transformer, control,

  • pri：

    240/480VAC,

  • sec：

    120/240VAC, 350VA, 2.92/1.46A

  • 功能描述：

    CONTROL TRANSFORMER; Primary

  • Voltages：

    2 x 220V, 2 x 230V, 2 x 240V; Secondary

  • Voltages：

    2 x 110V, 2 x 115V, 2 x 120V; Current

  • Rating：

    2.92A; Power

  • Rating：

    350VA; Plug

  • Type：

    -; External

  • Depth：

    131.83mm; External

  • Height：

    112.78mm ;RoHS

  • Compliant：

    Yes

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
HammondPowerSolutions
新
6
全新原裝 貨期兩周
 詢價
Hammond Power Solutions
2022+
2
全新原裝 貨期兩周
 詢價
恩XP
23+
SOT669
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
恩XP
12+
SOT669
200
詢價
恩XP
2022+
SOT669
200
原廠原裝,假一罰十
 詢價
恩XP
23+
SOT669
89630
當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
恩XP
24+
NA/
7500
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
 詢價
恩XP
22+
SOT669
20000
原裝現(xiàn)貨,實單支持
 詢價
ADI
23+
SOT669
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價
ADI
23+
SOT669
7000
詢價
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