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PH2729-130M分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PH2729-130M
廠商型號

PH2729-130M

參數(shù)屬性

PH2729-130M 包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 63V

功能描述

Radar Pulsed Power Transistor, 130W, 100us Pulse, 10 Duty 2.7 - 2.9 GHz

文件大小

93.73 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商

MACOM

中文名稱

瑪科姆技術方案控股有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-14 17:05:00

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PH2729-130M規(guī)格書詳情

特性 Features

? NPN Silicon Microwave Power Transistor

? Common Base Configuration

? Broadband Class C Operation

? New Power Dense Interdigitated Geometry

? Diffused Emitter Ballasting Resistors

? Gold Metalization System

? Internal Input and Output Impedance Matching

? Hermetic MetaUCeramic Package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PH2729-130M

  • 制造商:

    MACOM Technology Solutions

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    63V

  • 增益:

    9.73dB ~ 8.85dB

  • 功率 - 最大值:

    130W

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    12.5A

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 描述:

    RF TRANS NPN 63V

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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